Efek Vacancy dan Gugus Fungsi terhadap Sifat Listrik rGO Menggunakan Metode DFT
Hafizh A. Fakhri(a), Sasfan A. Wella(a), Akfiny Hasdi Aimon(a), Ferry Iskandar(a,b,*)
a)Kelompok Keahlian Fisika Material dan Elektronik, Program Studi Fisika,
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Institut Teknologi Bandung, Bandung 40132, Indonesia
b)Research Center for Nanoscience and Nanotechnology, Institut Teknologi Bandung, Bandung 40132, Indonesia
*ferry[at]fi.itb.ac.id
Abstract
Graphene memiliki sifat listrik yang menarik. Dari perhitungan ab initio dengan menggunakan teori fungsional kerapatan (Density Functional Theory (DFT)) diperoleh celah pita energi graphene murni bernilai nol (0). Secara eksperimen, graphene dapat juga diperoleh dari hasil mereduksi graphene oxide (GO) menjadi reduced graphene oxide (rGO). Besarnya celah pita rGO yang diperoleh melalui perhitungan secara DFT lebih besar dibandingkan graphene murni. Besarnya celah pita energi ini dipengaruhi oleh adanya cacat (defect) pada graphene berupa vacancy maupun adanya ikatan epoxy, carbonyl, dan hidroxyl. Selain celah pita energi adanya vacancy dan gugus fungsi pada graphene memengaruhi density of state (DOS) dari graphene itu sendiri.
Keywords: Teori fungsional kerapatan; rGO; Vacancy; Gugus Fungsi; Sifat Listrik
Topic: Physics
Link: https://ifory.id/abstract-plain/B7bwmfPcRhxU