PENGARUH DADAH Ti TERHADAP SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS In2-2x Ti2xO3 YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD)
Horasdia Saragih
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Advent Indonesia
Jl. Kol. Masturi No. 288 Parongpong, Bandung Barat, Indonesia
Abstract
Penumbuhan lapisan tipis In2-2xTi2xO3 di atas substrat gelas telah dilakukan dengan teknik metal organic chemical vapor deposition (MCVD). Prekursor yang digunakan adalah In(TMHD)3, Titanium(IV)isopropoxide (TTIP) dan gas O2. Parameter optimum penumbuhan dan lapisan tipis In2-2xTi2xO3 dengan berbagai ketebalan dan konsentrasi Ti, diperoleh. Sifat optik lapisan dan morfologi butir penyusun lapisan, dianalisis. Seluruh lapisan dengan konsentrasi Ti sampai 5% dan dengan ketebalan sampai 531 nm, transparan pada rentang panjang gelombang sinar tampak dengan transmitans ≥ 80%. Elemen dadah Ti memberi pengaruh terhadap tingkat transmitans, morfologi permukaan dan lebar celah pita optik lapisan. Lapisan tipis In2-2xTi2xO3 dengan konsentrasi Ti yang lebih tinggi menghasilkan transmitans yang lebih rendah, morfologi permukaan yang lebih kasar dan celah pita optik yang lebih besar.
Keywords: Dadah Ti, sifat optik, lapisan tipis, In2-2x Ti2xO3, MOCVD
Topic: Fisika Material Elektronik
Link: https://ifory.id/abstract-plain/2JaAGuhgNKLP