Indonesia Conference Directory

Penumbuhan lapisan tipis In2-2xTi2xO3 di atas substrat gelas telah dilakukan dengan teknik metal organic chemical vapor deposition (MCVD). Prekursor yang digunakan adalah In(TMHD)3, Titanium(IV)isopropoxide (TTIP) dan gas O2. Parameter optimum penumbuhan dan lapisan tipis In2-2xTi2xO3 dengan berbagai ketebalan dan konsentrasi Ti, diperoleh. Sifat optik lapisan dan morfologi butir penyusun lapisan, dianalisis. Seluruh lapisan dengan konsentrasi Ti sampai 5% dan dengan ketebalan sampai 531 nm, transparan pada rentang panjang gelombang sinar tampak dengan transmitans ≥ 80%. Elemen dadah Ti memberi pengaruh terhadap tingkat transmitans, morfologi permukaan dan lebar celah pita optik lapisan. Lapisan tipis In2-2xTi2xO3 dengan konsentrasi Ti yang lebih tinggi menghasilkan transmitans yang lebih rendah, morfologi permukaan yang lebih kasar dan celah pita optik yang lebih besar.