Indonesia Conference Directory

Paper ini membahas analisis sifat optik dari lapisan tipis ZnO di atas substrat SiO2/Si yang ditumbuhkan dengan teknik DC-unbalanced magnetron sputtering. Sifat optik ZnO dikarakterisasi dengan menggunakan spektroskopi elipsometri (SE) pada rentang energi 1,2-6,5 eV. SE mengukur perubahan polarisasi, yang direpresentasikan sebagai rasio amplitudo dan beda fase, saat sebelum dan sesudah menumbuk lapisan tipis ZnO. Data SE yang terukur dianalisis dan dimodelkan lebih lanjut dengan menggunakan model Tauc-Lorentz dan Gaussian untuk memperoleh informasi fisis dari sampel yang diukur. Model optik yang digunakan adalah "kekasaran permukaan/ZnO/SiO2/Si". Kekasaran permukaan disertakan sebagai kompensasi dari ketidakhomogenan permukaan lapisan tipis. Indeks bias kompleks, koefisien serapan, celah pita energi, dan ketebalan lapisan tipis diperoleh dari hasil pemodelan dengan inversi persamaan Fresnel. Nilai indeks bias yang terukur pada ~2,25 eV adalah 2,03, sedangkan lebar celah pita energi yang dihitung dengan persamaan Tauc adalah ~3.27 eV. Selain itu, ketebalan lapisan tipis yang diperoleh adalah ~50 nm. Studi ini menunjukkan pentingnya ZnO sebagai material dengan celah pita energi yang lebar untuk aplikasi perangkat optoelektrika, seperti laser, dioda, dan detektor ultraviolet