Indonesia Conference Directory

Telah dilakukan perhitungan elektronik Logam Tanah Jarang (LTJ)(Eu, Tm) pada pendopingan w-GaN (wurtzite). GGA pseudopotensial digunakan sebagai fungsi exchange correlation. Parameter yang ditinjau adalah keadaan bulk, termasuk konstanta kisi dan panjang ikatan antar atom. Pita energy dan density of state (DOS) pada GaN murni, Eu:GaN dan Tm:GaN menunjukkan perubahan signifikan. Parameter kisi dan panjang ikatan memiliki perbedaan 2% dan 2,5% dari eksperiment. Celah pita energi GaN murni adalah 2.58eV sedangkan penambahan LTJ, dengan konfigurasi Ga(1−x)RENx, (x = 0.125), mengakibatkan penurunan celah energinya. Sub kulit 4f LTJ mengakibatkan penyempitan celah pita energi tersebut. Sehingga dapat diaplikasikan sebagai peralatan optis.