Indonesia Conference Directory

Studi sistematik mengenai penumbuhan lapisan tipis, dapat memberikan pemahaman terkait mekanismenya pada skala atomik dan juga memberikan informasi parameter pada metode eksperimen. Proses penumbuhan film tembaga pada substrat silikon berdasarkan metode evaporasi termal, telah dilakukan dengan menggunakan metode dinamika molekul. Potensial AlSiMgCuFe meam digunakan untuk mendeskripsikan interaksi Cu-Cu, Si-Si dan Cu-Si. Variasi temperatur annealing 400, 500, 600, 700, 800 & 900 K dianalisis pengaruhnya terhadap struktur kristal film yang terbentuk. Diperoleh informasi bahwa temperatur 700 K merupakan temperatur minimum agar terjadi proses rekristalisasi. Analisis struktur kristal menunjukkan bahwa proses annealing telah memperbaiki struktur kristal film. Dari hasil penelitian ini, disimpulkan bahwa temperatur 700, 800 & 900 K dapat direkomendasikan sebagai parameter temperatur annealing. Selain itu, ditunjukkan bahwa difusi atom, sebagai inisiasi proses rekristalisasi, terjadi dalam orde pikosekon.