Indonesia Conference Directory

Gallium Nitride (GaN) merupakan semikonduktor dengan celah pita energi yang lebar dan langsung. Penelitian Rare Earth (RE) dalam GaN sangat menarik terkait dengan pemanfaatannya dalam pengembangan perangkat optoelektronik. Dilakukan perhitungan struktur elektronik doping GaN dengan Er berdasarkan Density Functional Theory (DFT). Digunakan model supersel struktur wurtzite GaN menggunakan paket program PHASE/0. Hasil yang diperoleh menunjukkan adanya kestabilan struktur Er dalam GaN. Penambahan konsentrasi dopan dalam hal ini Er dalam GaN, mengakibatkan penambahan pergeseran batas level energi dan mempersempit celah pita energi. Model yang digunakan mampu mendeskripsikan keadaan impuritas Er dalam GaN. Doping Er dalam GaN diprediksikan mampu mempersempit celah pita energi dan membantu kinerja optik pada GaN. GaN didoping Er berpotensi untuk aplikasi LED dengan berbagai macam warna yang hemat energi dan murah.